Vaše internetové pripojenie je späť. Aby všetko fungovalo správne, kliknite pre opätovné načítanie stránky
Nie ste pripojení na internet. Skontrolujte svoje pripojenie a skúste to prosím znova.
1ks FDL100N50F výkonový MOSFET tranzistor, N Kanál, 500V - Elektronické súčiastky
1ks FDL100N50F výkonový MOSFET tranzistor, N Kanál, 500V - Elektronické súčiastky
1ks FDL100N50F výkonový MOSFET tranzistor, N Kanál, 500V - Elektronické súčiastky
1 z 2
Nové

1ks FDL100N50F výkonový MOSFET tranzistor, N Kanál, 500V

Zobraziť originál 
Kúp teraz
2x zakúpené
8,07 €
K dispozícii
2 ks
1 ks
Bezpečný nákup s Aukro Ochranou kupujúcich
Nakupujete od overeného predajcu
14 dní na vrátenie tovaru
Doprava a platba
Packeta na výdajné miesto Od 3,56 €
Doba dodania 4-6 dní
Kartou online
Bankovým prevodom
Podrobnosti
1ks FDL100N50F výkonový MOSFET tranzistor, N Kanál, 500V
Popis predmetu
Informácie od predajcu
Stav tovaru
nepoužitý, nerozbalený tovarv 100% stave
Výrobca
EAN
P/N (kód výrobce)

Přehled produktu


FDL100N50F je 500 V N-kanálový UniFET™ FRFET® MOSFET, založený na planárním pásku a DMOS technologii. Tento MOSFET je uzpůsoben pro redukci odporu v zapnutém stavu a pro poskytnutí lepšího spínacího výkonu a vyšší odolnosti lavinové energie. Výkon obnoveni z reverzního směru těla diody UniFET FRFET® MOSFET byl vylepšen pomocí řízení životnosti. Jeho trr je méně než 100ns a reverzní dv/dt imunita je 15 V/ns, zatímco běžné planární MOSFETy mají více než 200 ns a 4,5 V/ns, respektive. Je tedy možno odstranit další komponenty a zlepšit stabilitu systému v některých aplikacích, ve kterých je důležitý výkon diody těla MOSFETu. Tato rodina zařízení je vhodná pro aplikace spínaných měničů jako korekce účiníku (PFC), napájení TV s plochým panelem (FPD), ATX a elektronických tlumivek lamp. Tento produkt je pro všeobecné použití a je vhodný pro mnoho různých úloh.


Nízký náboj hradla

100% Lavinově testováno

Vylepšená schopnost dv/dt


Aplikace:


Řízení Napájení

Přehled produktu FDL100N50F je 500 V N-kanálový UniFET™ FRFET® MOSFET, založený na planárním pásku a DMOS technologii. Tento MOSFET je uzpůsoben pro redukci odporu v zapnutém stavu a pro poskytnutí lepšího spínacího výkonu a vyšší odolnosti lavinové energie. Výkon obnoveni z reverzního směru těla diody UniFET FRFET® MOSFET byl vylepšen pomocí řízení životnosti. Jeho trr je méně než 100ns a reverzní dv/dt imunita je 15 V/ns, zatímco běžné planární MOSFETy mají více než 200 ns a 4,5 V/ns, respektive. Je tedy možno odstranit další komponenty a zlepšit stabilitu systému v některých aplikacích, ve kterých je důležitý výkon diody těla MOSFETu. Tato rodina zařízení je vhodná pro aplikace spínaných měničů jako korekce účiníku (PFC), napájení TV s plochým panelem (FPD), ATX a elektronických tlumivek lamp. Tento produkt je pro všeobecné použití a je vhodný pro mnoho různých úloh. Nízký náboj hradla 100% Lavinově testováno Vylepšená schopnost dv/dt Aplikace: Řízení Napájení
Ponuka č. 7050986400 Vystavené 05.05. 10:05 Zobrazenie: 4